
半导体器件是构成电子电路的根本元件,它们所用的资料是经过特殊加工且性能可控的半导体资料。下面LED发光二极管厂家细致引见普通发光二极管和激光二极管的区别,主要包括发光原理上的区别,在工作原理、架构与效能上的区别等,全面理解下普通发光二极管和激光二极管的不同之处。
普通发光二极管和激光二极管的区别
1、发光原理上的区别
LED发光二极管厂家LED应用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向,相位是随机的,激光二极管发出的光子是同方向,同相位。
LED是LightEmittingDiode(发光二极管)的缩写,LED应用普遍,比方家用电器的指示灯,汽车后防雾灯等。
LED显着特性是运用寿命长,转换效能高。其原下上在某些半导体资料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的方式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种应用注入式电致发光原理制造的二极管叫发光二极管,通称LED。
LD是激光二极管的英文缩写,激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安顿一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有局部反射功用,因此构成一光谐振腔。
在正向偏置的状况下,LED结发射出光来并与光谐振腔互相作用,从而进一步鼓励从结上发射出单波长的光,这种光的物理性质与资料有关。
半导体雷射二极管的工作原理,理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱,激光印表机中的列印头号小功率安装中得到了普遍的应用。
2、LED发光二极管厂家LED在工作原理、架构与效能上的区别
(1)工作原理:LED是应用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受激辐射复合发光。
(2)架构:LD有光学谐振腔,使产生的光子在腔内振荡放大,LED没有谐振腔。
(3)效能:LED没有临界值特徴,光谱密度比LD高几个数量级,LED汇出光功率小,发散角大。
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